ERA6AEB563V

ERA6AEB563V datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

Маркировка

ERA6AEB563V
Производитель

Panasonic Corporation
Описание

Panasonic Corporation ERA6AEB563V Power Rating: 125mW Resistance: 56kohm Resistance Tolerance: ?‚?± 0.1% Resistor Element Material: Thin Film Series: ERA Temperature Coefficient: ?‚?± 25ppm/?‚?°C Voltage Rating: 100V
Количество страниц

4 шт.
Формат

PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
Размер файла

124,37 KB

ERA6AEB563V datasheet скачать

ERA6AEB563V datasheet

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Новости электроники

<p>Компания Shin-Etsu Chemical Co. Ltd начала поставки образцов своей новой подложки QST диаметром 300 мм (12 дюймов), специально разработанной для выращивания эпитаксиального слоя нитрида галлия (GaN). Это достижение следует за предыдущими предложениями компании: подложками QST диаметром 150 мм (6 дюймов) и 200 мм (8 дюймов), а также эпитаксиальными подложками GaN на QST. В ответ на растущий спрос Shin-Etsu успешно увеличила диаметр подложки до 300 мм, что обещает снизить затраты и улучшить производство устройств на базе GaN.</p>

Shin-Etsu Chemical разработала подложку диаметром 300 мм для выращивания GaN

04.10.2024

<p>Zhejiang Geely Holding Group внедрила SiC MOSFET-чипы 4-го поколения от компании ROHM Co. Ltd в тяговые инверторы трёх моделей бренда электромобилей ZEEKR. Эти силовые модули на базе карбида кремния (SiC), которые являются ключевыми для улучшения производительности электромобилей, с 2023 года находятся в серийном производстве. Производятся они компанией Haimosic (Shanghai) Co. Ltd — совместным предприятием ROHM и Zhenghai Group Co. Ltd — и поставляются Viridi E-Mobility Technology (Ningbo) Co. Ltd, основному поставщику электромобилей Geely.</p>

Geely интегрирует SiC MOSFET-чипы 4-го поколения ROHM в электромобили ZEEKR

03.10.2024

<p>По мере того как вычисления, связанные с ИИ, продолжают развиваться как в облачных, так и в периферийных средах, спрос на более быстрые и ёмкие решения для хранения данных значительно вырастет в ближайшие два десятилетия. Технология NAND FLASH, являющаяся основой экономичных и высокоплотных систем хранения данных, уже революционизировала множество отраслей, начиная от USB-накопителей и заканчивая крупномасштабными серверами. Промышленность перешла от 2D NAND к 3D NAND, которая стала доминирующей технологией памяти с момента её коммерческого дебюта в 2013-2014 годах.</p>

Новые технологии оборудования станут ключевыми для масштабирования до 1000-слойной 3D NAND в эпоху ИИ

02.10.2024

Еще новости

Золотая осень в ТМ Электроникс

Продукция NKK Switches - Галетные, сенсорные, тактильные кнопки и переключатели.

Продукция NKK Switches

Галетные, сенсорные, тактильные кнопки и переключатели.

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.